低介电常数纳米氧化硅薄膜(英文)
来源期刊：稀有金属材料与工程2010年第S2期
论文作者：沈军 朱玉梅 林雪晶 吴广明 周斌 倪星元 姚兰芳 牛锡贤
文章页码：31 - 35
关键词：低介电常数;薄膜;溶胶-凝胶法;
摘 要：介绍了一种新制备低介电常数 SiO2薄膜的方法。以 TEOS 为前躯体、盐酸为催化剂、CTAB 作为模版剂,采用溶胶-凝胶法制备硅溶胶,以浸渍提拉法制备薄膜。采用 FITIR、XRD 和 AFM 等方法表征了薄膜,并用阻抗分析仪测量介电常数。结果表明,通过调节 CTAB 的浓度和老化时间可以制得介电常数小于 2.2 的 SiO2 薄膜,薄膜拥有较好的机械强度和耐刮擦性,通过采用六甲基二硅胶烷（HMDS）对薄膜表面进行修饰,可以提高薄膜的疏水性能从而提高其在空气中的稳定性。
沈军1，朱玉梅1，林雪晶1，吴广明1，周斌1，倪星元1，姚兰芳2，牛锡贤4
1. 同济大学2. 上海理工大学4. 中星电动车科技有限公司
摘 要：介绍了一种新制备低介电常数 SiO2薄膜的方法。以 TEOS 为前躯体、盐酸为催化剂、CTAB 作为模版剂,采用溶胶-凝胶法制备硅溶胶,以浸渍提拉法制备薄膜。采用 FITIR、XRD 和 AFM 等方法表征了薄膜,并用阻抗分析仪测量介电常数。结果表明,通过调节 CTAB 的浓度和老化时间可以制得介电常数小于 2.2 的 SiO2 薄膜,薄膜拥有较好的机械强度和耐刮擦性,通过采用六甲基二硅胶烷（HMDS）对薄膜表面进行修饰,可以提高薄膜的疏水性能从而提高其在空气中的稳定性。
关键词：低介电常数;薄膜;溶胶-凝胶法;
