低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究
来源期刊:功能材料2000年第5期
论文作者:张卫 丁士进 刘志杰 张剑云 王鹏飞 王季陶
关键词:含氟氧化硅; 薄膜; 低介电常数; 化学气相淀积;
摘 要:综述了近十年来低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究状况,详细介绍了该薄膜在化学键结构、热性质、湿稳定性以及介电常数四个方面的特性,同时也简单介绍了薄膜的台阶覆盖度、填隙能力和漏电流特性,指出含氟氧化硅薄膜是一种可用于集成电路中的极富应用前景的低介电常数材料.
张卫1,丁士进1,刘志杰1,张剑云1,王鹏飞1,王季陶1
(1.复旦大学电子工程系CVD研究室,上海,200433)
摘要:综述了近十年来低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究状况,详细介绍了该薄膜在化学键结构、热性质、湿稳定性以及介电常数四个方面的特性,同时也简单介绍了薄膜的台阶覆盖度、填隙能力和漏电流特性,指出含氟氧化硅薄膜是一种可用于集成电路中的极富应用前景的低介电常数材料.
关键词:含氟氧化硅; 薄膜; 低介电常数; 化学气相淀积;
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