低介电常数介孔氧化硅薄膜的结构与介电性能研究
来源期刊：材料导报2008年增刊第1期
论文作者：姚兰芳 吴兆丰
关键词：低介电常数; 介孔氧化硅薄膜; MIM结构;
摘 要：利用溶胶-凝胶技术制备了介孔氧化硅薄膜.采用MIM结构,通过平行板电容器法测量了介孔氧化硅薄膜的介电常数,结果表明采用表面修饰的方法可以在保持较低介电常数(k=2.25)的前提下极大地降低薄膜的漏电流,提高薄膜的环境稳定性能.通过对富氏红外光谱的分析,讨论了薄膜的键结构与介电性能之间的关系,结果表明去除介孔氧化硅薄膜中的OH基团是提高薄膜介电性能的关键.
姚兰芳1，吴兆丰2
(1.上海理工大学物理系,上海,200093;
2.盐城工学院基础部,盐城,224003)
摘要:利用溶胶-凝胶技术制备了介孔氧化硅薄膜.采用MIM结构,通过平行板电容器法测量了介孔氧化硅薄膜的介电常数,结果表明采用表面修饰的方法可以在保持较低介电常数(k=2.25)的前提下极大地降低薄膜的漏电流,提高薄膜的环境稳定性能.通过对富氏红外光谱的分析,讨论了薄膜的键结构与介电性能之间的关系,结果表明去除介孔氧化硅薄膜中的OH基团是提高薄膜介电性能的关键.
关键词:低介电常数; 介孔氧化硅薄膜; MIM结构;
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