化学气相沉积制备粉体材料的原理及研究进展

来源期刊：粉末冶金材料科学与工程2009年第6期

论文作者：刘志宏 张淑英 刘智勇 李玉虎 王娟

文章页码：359 - 364

关键词：化学气相沉积;生长机理;进展;

摘    要：采用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,简称CVD)不仅可以制备金属粉末,也可以制备氧化物、碳化物、氮化物等化合物粉体材料。该法是以挥发性的金属卤化物、氢化物或有机金属化合物等物质的蒸气为原料,通过化学气相反应合成所需粉末,因其制备的粉末纯度高,比表面积大,结晶度高,粒径分布均匀、可控,在粉体材料制备方面的应用日趋广泛。该文主要介绍CVD技术制粉的形成机理和研究进程。CVD法制粉主要包括化学反应、晶核形成、粒子生长以及粒子凝并与聚结4个步骤。按照加热方式不同,CVD技术分为电阻CVD、等离子CVD、激光CVD和火焰CVD等,用这4种技术制备超细粉末各有其优缺点,选择合适的气源,开发更为安全、环保的生产工艺,以及加强尾气处理是使CVD法制备超细粉体材料付诸于工业应用的重要保证。