p型氮化镓不同掺杂方法研究
来源期刊：功能材料2007年第7期
论文作者：沈光地 邓军 牛南辉 李彤 邢艳辉 刘建平 韩军
关键词：p-氮化镓; δ掺杂; 原子力显微镜; 金属有机物化学气相淀积;
摘 要：采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN:Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂质增加自补偿效应;delta掺杂方法明显提高了空穴浓度,降低了电阻率,提高空穴迁移率,取得较好的表面形貌.
沈光地1，邓军1，牛南辉1，李彤1，邢艳辉1，刘建平1，韩军1
(1.北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022)
摘要:采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN:Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂质增加自补偿效应;delta掺杂方法明显提高了空穴浓度,降低了电阻率,提高空穴迁移率,取得较好的表面形貌.
关键词:p-氮化镓; δ掺杂; 原子力显微镜; 金属有机物化学气相淀积;
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