TiN薄膜的循环制备和电学性质
来源期刊：材料研究学报2006年第2期
论文作者：张文杰 吴瑾 邹世昌 易万兵
关键词：金属材料; TiN; MOCVD; 等离子体处理; 薄膜电阻;
摘 要：用金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)制备了TiN薄膜,通过不同循环制备的、厚度相同的平面薄膜电阻率的比较研究了TiN薄膜的电学性质.结果表明,多次循环会引入界面而增大电阻率,与薄膜成分和微结构分析的结果一致.得到了单循环的最优厚度以使样品电阻率最低.通过相同循环、不同厚度样品在真实器件中电学性能的比较,发现介窗(Via)直径越小,TiN薄膜对介窗电阻的影响越大.
张文杰1，吴瑾2，邹世昌1，易万兵1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;
2.上海宏力半导体制造有限公司,上海,201203;
3.中国科学院研究生院,北京,100039)
摘要:用金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)制备了TiN薄膜,通过不同循环制备的、厚度相同的平面薄膜电阻率的比较研究了TiN薄膜的电学性质.结果表明,多次循环会引入界面而增大电阻率,与薄膜成分和微结构分析的结果一致.得到了单循环的最优厚度以使样品电阻率最低.通过相同循环、不同厚度样品在真实器件中电学性能的比较,发现介窗(Via)直径越小,TiN薄膜对介窗电阻的影响越大.
关键词:金属材料; TiN; MOCVD; 等离子体处理; 薄膜电阻;
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