蓝宝石衬底上6H-SiC单晶薄膜的化学气相淀积生长
来源期刊：功能材料2004年第2期
论文作者：史君 韩平 陈平 张荣 顾书林 郑有炓 孙澜 朱嘉 朱顺明
关键词：化学气相淀积; 6H-SiC; 蓝宝石; 低温生长;
摘 要：采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H-SiC单晶薄膜.其晶体质量和结构由X射线衍射谱和喇曼散射谱的测量结果得到确定.俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的观察表明所制备的6H-SiC薄膜中的Si-C键的结合能为181.4eV,Si与C的原子比符合SiC的化学配比.扫描电子显微镜的分析显示6H-SiC外延层和蓝宝石衬底间的界面相当平整.由紫外及可见光波段吸收谱的结果得到所生长的6H-SiC的禁带宽度为2.83eV、折射系数在2.5～2.7之间,均与6H-SiC体材料的相应数据一致.
史君1，韩平1，陈平1，张荣1，顾书林1，郑有炓1，孙澜1，朱嘉1，朱顺明1
(1.南京大学,物理系,江苏,南京,210093)
摘要:采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H-SiC单晶薄膜.其晶体质量和结构由X射线衍射谱和喇曼散射谱的测量结果得到确定.俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的观察表明所制备的6H-SiC薄膜中的Si-C键的结合能为181.4eV,Si与C的原子比符合SiC的化学配比.扫描电子显微镜的分析显示6H-SiC外延层和蓝宝石衬底间的界面相当平整.由紫外及可见光波段吸收谱的结果得到所生长的6H-SiC的禁带宽度为2.83eV、折射系数在2.5～2.7之间,均与6H-SiC体材料的相应数据一致.
关键词:化学气相淀积; 6H-SiC; 蓝宝石; 低温生长;
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