高分辨X射线衍射表征氮化镓外延层缺陷密度

来源期刊：无机材料学报2015年第10期

论文作者：崔潆心 徐明升 徐现刚 胡小波

文章页码：1094 - 1098

关键词：氮化镓薄膜;高分辨X射线衍射;位错密度;

摘    要：利用高分辨X射线衍射方法,分析了在4H-Si C（0001）面上采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长的Ga N薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对称面衍射等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、晶粒尺寸和晶面弯曲半径等参数,通过排除仪器、晶粒尺寸及晶面弯曲对摇摆曲线半高宽的影响,从而获得Ga N薄膜的螺位错密度和刃位错密度分别为4.62×107 cm-2和5.20×109 cm-2,总位错密度为5.25×109 cm-2。