基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析
来源期刊：功能材料与器件学报2008年第5期
论文作者：魏林 李耀耀 李爱珍 徐刚毅 李华 梅斌
关键词：高分辨X射线衍射; InGaAs; InAlAs; 错向角; 摇摆曲线; 倒空间mapping; HRXRD; InGaAs; InAlAs; Misorientation-angle; Rocking curve; Reciprocal space map-ping;
摘 要：高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料.通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计.通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料.利用倒空间mapping精确得到了超晶格的平均垂直失配度和各层的厚度,通过X射线模拟软件得到的超晶格材料的模拟曲线和实测曲线吻合的很好.
魏林1，李耀耀1，李爱珍1，徐刚毅1，李华1，梅斌1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050)
摘要:高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料.通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计.通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料.利用倒空间mapping精确得到了超晶格的平均垂直失配度和各层的厚度,通过X射线模拟软件得到的超晶格材料的模拟曲线和实测曲线吻合的很好.
关键词:高分辨X射线衍射; InGaAs; InAlAs; 错向角; 摇摆曲线; 倒空间mapping; HRXRD; InGaAs; InAlAs; Misorientation-angle; Rocking curve; Reciprocal space map-ping;
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