PECVD法淀积不同应力状态氮化硅薄膜工艺研究

韩建强^1,2，王小飞¹，刘珍³，宋美绚¹，李青¹

1. 中国计量学院机电工程学院2. 传感技术国家重点实验室3. 杭州电子科技大学电子信息学院

摘 要：等离子增强化学气相淀积法（PECVD）淀积的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高、均匀性好等优点,在微电子机械系统（Micro-Electromechanical System,MEMS）中的应用越来越广泛,研究其应力状态对研制MEMS器件和系统具有重要意义。本文在大量实验的基础上,淀积出高压应力、低压应力、微应力、低张应力和高张应力五种不同应力状态的氮化硅薄膜,并对残余应力与SiH4/NH3流量比例、射频功率之间的关系进行了说明。

关键词：微电子机械系统;氮化硅;等离子化学气相淀积;残余应力;