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壁发生激烈的摩擦和剪切变形, 这部分金属流入制品尾端, 热处理后形成粗晶环. --淬火前对有粗晶环的低倍试片进行观察可以发现, 粗晶环区发暗无光泽. --对淬火前粗晶环区进行显微和X射线分析, 粗晶环区为不均匀的细小晶粒, 有时其中还夹有个别的不规则的大晶粒.除在德拜环上有大量的斑点外, 还有大的劳埃斑点.这说明此区域为再结晶织构加少量的大晶粒组织. --粗晶环区与中心区的电阻率和晶格常数不同.棒材边部的电阻率比中心的高, 而晶格常数则边部的比中心的低.说明边部Mn的分解较中心更为强烈.因为Mn的原子半径为1.30×10-10m, 比铝的原子半径1.43×10-10m小, 所以Mn从铝的固溶体中析出后晶格常数增加. --边部具有再结晶织构的细晶粒组织在粹火加热的保温过程中发生二次再结晶, 晶粒不均匀地高速长大而生成粗晶.......
--添加元素或杂质.在Al-Cu-Mg-Mn系合金中, 当Mn含量达到0.8%~1.0%时, 粗晶环深度明显减少, 甚至完全消失.在Al-Cu-Mg-Zn, Al-Mg-Si系合金中也可以获得同样的结果.添加少量Zr, Ti等元素, 亦能减少粗晶环深度.试验指出, 在硬铝合金中添加0.15%~0.20%Zr和0.4%Ti时, 不产生粗晶环.在7A04合金中含有0.2%Zr时, 没有粗晶环.对许多合金来说, Fe, Si杂质含量越多, 粗晶区晶粒越大.因此, 应将它们严格控制在一定的范围内. --挤压温度.它包括铸锭温度和挤压筒温度的共同影响.当挤压筒温度与铸锭温度配合适当时, 可以获得粗晶环深度浅而晶粒细的组织.试验指出: 当挤压筒温度为400 ℃, 铸锭温度为440 ℃, 合金成分为中等, 不均匀化退火的162mm铸锭挤压成40mm的2A12合金单孔棒材时, 热处理后其粗晶环深度......
硼在金中的溶解度极小,而钯和金可无限互溶.当硼在钯中的含量大于1.0%而小于6.33 %时,硼与钯生成低熔点共晶.铋与金和钯都会生成低熔点化合物. 含硼,钯很低的AuPdB 0.97-0.03合金塑性极好,不大的铸锭可不必热处理即直接加工成箔.但加入铋后,由于生成化合物使塑性大大降低,很难加工. 硼在金中溶解度极小,而硼在钯中有较大的溶解度,故先制成硼钯中间合金,然后用金与它熔炼成金硼钯...搅拌后快速浇入预热到200~300℃的模子中.用后一方法需多加0.2%的硼,至于含少量铋的AuPdBBi 0.97-0.03-0.1合金,因铋的熔点很低,在浇注前加入0.1%~0.2%的铋即可. AuPdB 0.97-0.03合金的塑性很好,不大的铸锭不必中间退火就可加工成厚0.05~0.06mm 的箔,但含铋的金硼钯合金的加工性能差.所以铸锭首先需要在真空中进行均匀化处理,其工艺是在320℃时......
氧化物A,B,C的模型 将碳素物质加热炭化时,炭以外的元素,如氧,氢等依次脱离炭的构造,由于加热或炭化条件不同,因而在炭表面形成各种有机官能团,在活性炭表面已检测出的有机官能团有:羧基,酚型氢氧基,醌型羰基,醚类,过氧化物,酯类,荧光素,炭酸酐,环状过氧化物等. 对碳化物进行热处理,最终可看作是炭.炭结合依次向石墨结晶过渡,其中间产物是非石墨质炭,随着温度由低到高,氧,氢等元素相继离开... 影响活性炭吸附或其他性质的主要因素是氧和氢的存在.这些元素和炭原子发生化学结合,形成了和灰分不同的活性炭的有机部分.根据固体表面不均匀理论,碳素物质中的氧或氢及其他异原子,处于石墨微晶的端部或晶格缺陷处和炭原子相结合.这些原子的原子价随周围炭原子是否充分饱和而异,所以反应性相差悬殊. 希洛夫(Sohilow)在活性炭表面氧化物的研究中,推论炭-氧化物以表面氧化物A,B,C三种状态存在.图......
增大, 但在高温下仍可粗略地认为合金中每个原子的热振动能与金属中同一原子的热振动能相同, 即合金的摩尔热容可用奈曼-柯普定律的形式来表示 在高于德拜温度ΘD时, 用式(1-22)计算出的热容值与实测值相差不超过4%.该定律具有一定的普遍性, 不仅适用于金属间化合物, 金属与非金属形成的化合物, 还适用于中间相和固溶体及它们所组成的多相合金, 但不适用于铁磁合金.热处理虽能改变合金的组织, 但... (1)自由电子对热容的贡献 与其他材料不同, 金属材料内部有大量的自由电子, 金属的热容还与自由电子对热容的贡献有关.通过实验所得的金属热容实际上由两部分组成, 即 由于在一般温度下, 电子热容比离子振动的热容小得多, 所以只考虑离子振动的热容就足够了.但在温度很高和很低的情况下, 自由电子对热容的贡献不可忽视.受电子热容的影响, 高温时CV随着温度的升高继续增大, 并不停留在3R处......
晶子学说是由前苏联学者列别捷夫于1921年初创立的.他在研究硅酸盐玻璃时发现, 无论从高温冷却还是从低温升温, 当温度达到573℃时, 玻璃的性质必然发生反常变化, 而573℃正是石英由α晶型向β晶型转变的温度.于是, 他认为玻璃是高分散晶体(晶子)的集合体.后来的研究也清楚地表明任何成分的玻璃都有这种现象. 瓦连可夫和波拉依-柯希茨研究了成分递变的硅酸钠双组分玻璃的X射线散射强度曲线.结果表明, 玻璃的X射线谱不仅与成分有关, 而且与玻璃的制备条件有关.提高热处理温度或延长加热时间, X射线谱的主散射峰陡度增加, 衍射图也越清晰, 他们认为这是由于晶子长大所造成的. 虽然结晶物质和相应玻璃态物质的X射线衍射或散射强度曲线极大值的位置大体相似, 但不一致的地方也是明显的, 很多学者认为这是玻璃中晶子点阵结构畸变所致. 弗洛林斯卡娅观察到在许多情况下, 玻璃和析晶时以初晶析出的晶......
云母微晶玻璃的制备方法有烧结法, 熔融法和溶胶-凝胶法, 以熔融法用得最多.用熔融法制备微晶玻璃时, 可分为三个主要阶段: 首先通过传统熔体冷却方法制得含成核剂的基础玻璃; 然后根据差热分析(DTA)和热膨胀系数测试结果, 判断通过热处理是否能析出晶体, 如果有晶体析出则确定合理的热处理制度; 最后根据确定的热处理制度对基础玻璃进行微晶化处理(通常包括核化与晶化两个过程). 早在1970年..., 含四硅氟云母微晶体达50%以上, 材料呈半透明状态. 1991年, 周忠慎等人开发出取名为Liko的齿冠修复材料--含四硅氟云母微晶体的可加工微晶玻璃.这种微晶玻璃以K2O-MgF2-MgO-SiO2为基础组成, 以B2O3或B2O3与Al2O3部分代替SiO2, 并以少量Na2O取代K2O.将配合料在1450℃温度下熔化4~6 h而制得优质基础玻璃, 然后采用一步法热处理制度将基础玻璃加热到......
在含有多种阳离子的溶液中加入沉淀剂, 使金属阳离子全都完全沉淀的方法称为共沉淀法. 该法通常将含有两种或两种以上的金属离子的水溶液同OH-, CO2-3, C2O2-4等混合, 得到难溶性的氢氧化物, 碳酸盐, 草酸盐等沉淀, 然后加热分解得氧化物粉末.如共沉淀法可制备BaTiO3, PbTiO3等PZT系电子陶瓷及ZrO2等粉体.利用以CrO2为晶种的草酸沉淀法, 已制备了La, Ca, Co, Cr掺杂氧化物及掺杂BaTiO3等纳米微粒.以Ni(NO3)2·6H2O溶液为原料, 乙二胺为络合剂, NaOH为沉淀剂, 可制得Ni(OH)2超微粉, 再经热处理后可得到NiO纳米微粉. 与传统的固相反应法相比, 共沉淀法可避免引入对材料性能不利的有害杂质, 生成的粉末具有较高的化学均匀性, 颗粒粒度较细, 且尺寸分布较窄, 并具有一定的结晶学形貌. 共沉淀法又可主要分为两大类......
无机化合物纳米管阵列通常采用无电沉积, 溶胶-凝胶等方法在模板中合成, 其中传统的溶胶-凝胶模板方法是将模板直接浸在相应的溶胶中进行合成.这一合成过程的驱动力是毛细作用, 由于模板通道直径的限制, 要求溶胶的浓度不能太高, 因此, 通过这种方法很难在小直径通道模板中组装所期望尺度的纳米阵列.中国科学院固体物理研究所张立德研究组克服了传统溶胶-凝胶方法合成纳米结构阵列的不足, 采用改进的溶胶-凝胶技术在氧化铝模板中成功地合成了Eu2O3 纳米管阵列.首先将模板浸入到含有硝酸铕和尿素的混合溶液中一段时间, 然后在80 ℃下恒温72 h, 在溶液和氧化铝模板中同时形成了Eu[(OH)x](H2O)y 溶胶, 在此期间由于溶胶颗粒带负电而氧化铝通道壁略带正电, 因而在氧化铝通道壁附着有相当浓度的溶胶颗粒, 随后将模板放置在管式炉中热处理, 进行胶凝和晶化.Eu2O3 纳米管阵列的合成正是基于......
金属和合金的晶界化学成分与各种晶界现象, 如晶界脆性, 晶间腐蚀, 氢脆以及再结晶等等有关.特别是, 当晶界富集某些类金属元素, 如S, P, Sb及Sn时会引起Fe, Ni及其合金的晶间断裂.扫描AES是研究晶界的理想工具. 为避免断口表面的迅速污染, 这种研究需采用原位断裂.其方法有: 冲击断裂或冷却后冲击断裂.这对于有恰当的韧-脆转变温度的材料是可行的, 但是许多金属用此方法仍不引起晶间断裂, 则采用充氢使足够多的晶界暴露出来, 或者采用原位慢速应变断裂装置.原位断裂后即刻用AES进行半定量分析(用灵敏度因子方法). 硫偏聚影响Ni晶间氢脆的结果用图8-18描述.有两种Ni样品, 其成分列于表8-1.真空熔炼的Ni含S量较高, 区熔Ni棒含S量很低.比较两种Ni材在600℃热处理后的AES谱及断口形貌发现, 真空熔炼的Ni样品显示出100%的晶间断裂, 其俄歇谱中有较大的......