利用第一性原理研究Ge:Si电子结构与光学性质
来源期刊：材料导报2009年第14期
论文作者：熊飞 李亮 杨瑞东 刘芳 杨宇 王茺
关键词：第一性原理; SiGe; 电子结构; 光学性质; first-principles study; SiGe; electronic structure; optical properties;
摘 要：采用基于密度泛函理论的平面渡超软赝势方法和广义梯度近似,计算了掺杂Ge前后单晶Si中Si-Ge键的布居值、键长以及能带结构和态密度.计算结果表明,Ge掺杂后体系晶格常数发生变化,Ge-Si键变长,布居值及带隙宽度减小.还进一步研究了掺杂Ge后的光学性质,掺杂后静态介电常数值与纯Si相比有所增大,且吸收带宽变窄、吸收带边明显红移,并对这些掺杂诱导的材料物性变化进行了解释.
熊飞1，李亮1，杨瑞东1，刘芳1，杨宇1，王茺1
(1.云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所,昆明,650091;
2.红河学院物理系,蒙自,661100)
摘要:采用基于密度泛函理论的平面渡超软赝势方法和广义梯度近似,计算了掺杂Ge前后单晶Si中Si-Ge键的布居值、键长以及能带结构和态密度.计算结果表明,Ge掺杂后体系晶格常数发生变化,Ge-Si键变长,布居值及带隙宽度减小.还进一步研究了掺杂Ge后的光学性质,掺杂后静态介电常数值与纯Si相比有所增大,且吸收带宽变窄、吸收带边明显红移,并对这些掺杂诱导的材料物性变化进行了解释.
关键词:第一性原理; SiGe; 电子结构; 光学性质; first-principles study; SiGe; electronic structure; optical properties;
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