低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极Ag扩散对电性能的影响

陈志雄¹，庄严²，苏达根³，钟明峰³

(1.广州大学物理与电子工程学院,广州,510405;
2.广州新日电子有限公司,广州,510335;
3.华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州,510640)

摘要:研究了低温烧结多层片式ZnO压敏电阻的Pd-Ag内电极中Ag扩散对电性能的影响.发现当含Ag量不超过90%时,仍具有较好的电性能;但含Ag量再继续增加,电性能逐渐变差,内电极为纯Ag时,电性能严重恶化.反映晶界势垒电容的电容量随含Ag量的增加而减小.伏安特性和复数阻抗分析表明,随着内电极中含Ag量增加,Ag扩散进入ZnO晶格加剧,降低了施主浓度,导致ZnO晶粒电阻过分增大,而使多层片式ZnO压敏电阻的电性能劣化.

关键词:多层压敏电阻器; 低温烧结; 银扩散; 晶粒电阻; 电性能;

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