与Ag内电极共烧对ZnVSb压敏陶瓷显微结构及性能的影响

来源期刊：材料科学与工程学报2011年第3期

论文作者：赵鸣 田长生

文章页码：337 - 694

关键词：ZnVSb压敏陶瓷;Ag内电极;共烧;

摘    要：研究共烧影响及其机理是开发多层片式压敏电阻的基础和关键。采用XRD、SEM、EDS研究了与Ag内电极共烧对ZnVSb陶瓷显微形貌、晶体结构及烧结性能的影响。结果表明,与Ag内电极共烧不影响ZnVSb陶瓷的相组成,但阻碍ZnVSb陶瓷烧结。Ag通过富V液相扩散并恶化其与ZnO晶粒的浸润性,从而阻碍ZnVSb陶瓷的致密化进程。Zn在Ag内电极中不存在扩散,而Sb在其中的扩散破坏了ZnVSb陶瓷原有的成分配比。研究结果为ZnVSb基片式压敏电阻开发奠定了基础。