直流反应磁控溅射制备非晶掺锌氧化铟沟道层薄膜

来源期刊：功能材料与器件学报2010年第5期

论文作者：周俊 李桂锋 卜东生 张群

文章页码：419 - 423

关键词：掺锌氧化铟;直流反应磁控溅射;薄膜晶体管;

摘    要：采用直流反应磁控溅射In/Zn合金靶材在室温下制备了非晶掺锌氧化铟（a-IZO）薄膜,作为沟道层应用于氧化物薄膜晶体管。通过在沉积过程中适当调节氧气压强,制备的a-IZO薄膜的电阻率可具有10-3～106Ω.cm即109倍的变化范围。在氧气压强Po2=5×10-2Pa制备的薄膜,其可见光范围平均透射率大于85%。试制了基于a-IZO薄膜沟道层的顶栅结构的氧化物薄膜晶体管。测试表明该薄膜晶体管工作在n型沟道增强模式,场效应迁移率为4.25 cm2V-1s-1,电流开关比约为103。实验结果预示a-IZO薄膜在TFT-LCD和AMOLED等平板显示领域具有应用前景。