SiC缓冲层用于改善硅基氮化镓薄膜的质量研究
来源期刊：功能材料2008年第2期
论文作者：刘玫 满宝元 庒惠照 薛成山 朱华超
关键词：脉冲激光沉积; 氮化镓薄膜; 碳化硅缓冲层; 退火;
摘 要：用脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积GaN薄膜,为了减小Si衬底与GaN薄膜之间的热失配和晶格失配引入SiC缓冲层.脉冲激光沉积后的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛围中在950℃下退火15min.得到结晶的GaN薄膜.并用X 射线衍射、原子力显微镜、傅立叶红外吸收谱、光致发光谱研究了SiC缓冲层对GaN薄膜的结晶、形貌和光学性质的影响.
刘玫1，满宝元1，庒惠照1，薛成山1，朱华超1
(1.山东师范大学,物理与电子科学学院,山东,济南,250014)
摘要:用脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积GaN薄膜,为了减小Si衬底与GaN薄膜之间的热失配和晶格失配引入SiC缓冲层.脉冲激光沉积后的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛围中在950℃下退火15min.得到结晶的GaN薄膜.并用X 射线衍射、原子力显微镜、傅立叶红外吸收谱、光致发光谱研究了SiC缓冲层对GaN薄膜的结晶、形貌和光学性质的影响.
关键词:脉冲激光沉积; 氮化镓薄膜; 碳化硅缓冲层; 退火;
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