缓冲层对氮化镓二维生长的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2002年第2期
论文作者：李爱珍 朱福英 赵智彪 齐鸣
关键词：氮化镓; RF-Plasma分子束外延; 原子力显微镜; X射线衍射分析; 缓冲层;
摘 要：报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN).通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核、准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量.
李爱珍1，朱福英1，赵智彪1，齐鸣1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050,中国科学院信息功能材料国家重点实验室)
摘要:报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN).通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核、准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量.
关键词:氮化镓; RF-Plasma分子束外延; 原子力显微镜; X射线衍射分析; 缓冲层;
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