射频等离子体分子束外延GaN的极性研究
来源期刊：功能材料与器件学报2002年第4期
论文作者：李爱珍 朱福英 赵智彪 齐鸣
关键词：GaN; 分子束外延; 原子力显微镜; 光辅助湿法刻蚀; 极性;
摘 要：对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究.由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外延层的极性有着重要影响:较高缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为N-polar,较低缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为Ga-polar.
李爱珍1，朱福英1，赵智彪1，齐鸣1
(1.中国科学院微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050)
摘要:对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究.由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外延层的极性有着重要影响:较高缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为N-polar,较低缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为Ga-polar.
关键词:GaN; 分子束外延; 原子力显微镜; 光辅助湿法刻蚀; 极性;
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