硅基外延Mn4Si7薄膜电子结构与光学性质研究
来源期刊：材料导报2014年第8期
论文作者：刘怿辉 谢泉 陈茜
文章页码：9 - 12
关键词：Mn4Si7;硅基外延;第一性原理;电子结构;光学性质;
摘 要：基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对外延关系Mn4Si7(001)//Si(001),取向关系Mn4Si7[001]//Si[001]的Mn4Si7平衡体系下的电子结构和光学性质进行了理论计算,计算结果表明:当Mn4Si7晶格常数选取为a=b=0.5431nm、c=1.747nm时,Mn4Si7为带隙宽度为0.834eV的直接带隙半导体。Mn4Si7费米面附近的价带主要由Mn的3d5态电子构成,导带主要由Mn的3d5态电子及Si的3p态电子构成。静态介电常数ε1(0)=14.48,折射率n0=3.8056。
刘怿辉1,2，谢泉1,2，陈茜1,2
1. 贵州大学电子信息学院2. 贵州大学新型光电子材料与技术研究所
摘 要：基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对外延关系Mn4Si7(001)//Si(001),取向关系Mn4Si7[001]//Si[001]的Mn4Si7平衡体系下的电子结构和光学性质进行了理论计算,计算结果表明:当Mn4Si7晶格常数选取为a=b=0.5431nm、c=1.747nm时,Mn4Si7为带隙宽度为0.834eV的直接带隙半导体。Mn4Si7费米面附近的价带主要由Mn的3d5态电子构成,导带主要由Mn的3d5态电子及Si的3p态电子构成。静态介电常数ε1(0)=14.48,折射率n0=3.8056。
关键词：Mn4Si7;硅基外延;第一性原理;电子结构;光学性质;
