以ZnO为缓冲层制备硅基氮化镓薄膜

来源期刊：功能材料2010年第S1期

论文作者：何建廷 宿元斌 杨淑连 卢恒炜

文章页码：162 - 164

关键词：ZnO缓冲层;GaN薄膜;退火;结晶;

摘    要：用脉冲激光沉积法(PLD)先在600℃的Si(111)衬底上沉积ZnO薄膜,然后用磁控溅射法再沉积GaN薄膜。直接沉积得到的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛围中在850、900、950℃下退火15min得到结晶的GaN薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)、光致发光谱(PL)和扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO缓冲层对GaN薄膜的结晶和形貌的影响。