单晶硅快速磷扩散研究

孔凡迪¹，陈诺夫¹，陶泉丽¹，贺凯¹，王从杰¹，魏立帅¹，白一鸣¹，陈吉堃²

1. 华北电力大学可再生能源学院2. 北京科技大学材料科学与工程学院

摘 要：采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多。使用快速热处理（RTP）方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景。使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,获得了最为理想的p-n结扩散温度及时间。通过计算快速热处理条件下磷在硅中的扩散系数以及扩散激活能,分析了与传统扩散方法不同的原因。

关键词：半导体材料;p-n结;快速热处理;磷扩散;扩散系数;