对非晶硅薄膜进行快速磷扩散以获得本征薄层异质结

来源期刊：材料导报2019年第20期

论文作者：杨秀钰 陈诺夫 张航 陶泉丽 徐甲然 陈梦 陈吉堃

文章页码：3353 - 3357

关键词：本征薄层异质结(HIT)太阳能电池;非晶硅薄膜;磁控溅射;p-n结;快速热扩散;

摘    要：本征薄层异质结（HIT）太阳能电池具有优异的性能,包括效率高、成本低、稳定性好、制备温度低等。本研究利用磁控溅射技术在p型单晶硅（pc-Si）衬底上制备一定厚度的本征非晶硅薄膜（i-a-Si）,以磷纸为扩散源,通过快速热扩散（RTD）方法进行扩散得到具有p-n结的掺杂非晶硅层（n+-a-Si）,最终得到n+-a-Si/i-a-Si/c-Si的异质结结构。系统地研究了扩散过程对a-Si膜（包括i-a-Si和n+-a-Si）晶化程度以及p-n结深度的影响,利用拉曼光谱（Raman）、X射线衍射（XRD）仪、台阶仪、扫描电镜（SEM）等对a-Si膜进行表征,并利用金相显微镜测量p-n结（采用磨角染色法染色）深度,从而获得制备p-n结的最佳扩散温度和时间。