铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅薄膜的影响

来源期刊：材料导报2011年第14期

论文作者：陈海力 沈鸿烈 唐正霞 杨超 江丰

文章页码：43 - 46

关键词：铝诱导晶化;多晶硅薄膜;磁控溅射;真空热蒸发;

摘    要：采用真空热蒸发和磁控溅射两种方法沉积铝膜,通过对Glass/Si/SiO2/Al叠层结构进行铝诱导晶化(AIC)制备多晶硅薄膜。采用X射线衍射谱(XRD)、光学显微镜和拉曼光谱对样品进行分析,研究两种铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅性能的影响。结果表明,采用两种方法沉积的铝膜均能诱导出(111)高度择优取向的大晶粒尺寸(～100μm)的多晶硅薄膜,但与磁控溅射沉积相比,真空热蒸发沉积的铝膜诱导出的多晶硅薄膜应力更小、结晶质量更高,且晶化速率更快。