简介概要

CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定

来源期刊:功能材料2006年第1期

论文作者:李强 介万奇 查钢强 刘永勤

关键词:CdZnTe; 机械抛光; X射线摇摆曲线; 表面损伤层;

摘    要:研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺.采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整,在光学显微镜下观察没有划伤,采用New View5000TM测得抛光后晶片的表面粗糙度Ra为8.752nm.采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度.通过分析不同时间腐蚀后晶片的质量和半峰宽值,计算出机械抛光产生的表面损伤层厚度约为26.7μm.

详情信息展示

CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定

李强1,介万奇1,查钢强1,刘永勤2

(1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;
2.西凯光电子材料技术发展有限责任公司,陕西,西安,710072)

摘要:研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺.采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整,在光学显微镜下观察没有划伤,采用New View5000TM测得抛光后晶片的表面粗糙度Ra为8.752nm.采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度.通过分析不同时间腐蚀后晶片的质量和半峰宽值,计算出机械抛光产生的表面损伤层厚度约为26.7μm.

关键词:CdZnTe; 机械抛光; X射线摇摆曲线; 表面损伤层;

【全文内容正在添加中】

<上一页 1 下一页 >

有色金属在线官网  |   会议  |   在线投稿  |   购买纸书  |   科技图书馆

中南大学出版社 主办 版权声明   电话:0731-88830515 88830516   传真:0731-88710482   Email:administrator@cnnmol.com

互联网出版许可证:(署)网出证(湘)字第028号   湘ICP备09001153号