电化学研究在锗的化学机械抛光上的应用

来源期刊：稀有金属2017年第10期

论文作者：潘柏臣 张保国 周朝旭

文章页码：1137 - 1142

关键词：Ge;电化学;腐蚀性;化学机械抛光;表面粗糙度;

摘    要：通过电化学工作站对p型2英寸（1英寸=2.54 cm）Ge晶圆进行了研究,结合Alpsitec E460抛光机、原子力显微镜（AFM）验证电化学研究对于Ge的化学机械抛光的理论指导意义。结果表明:NaOH作为pH调节剂对Ge具备着比KOH,NH₃·H₂O作为pH调节剂更强的腐蚀性;在H₂O₂浓度一定的条件下,Ge的腐蚀性随着电解液中pH值的增加而增加;在pH相同的条件下,NaClO对Ge的腐蚀性要高于H₂O₂对Ge的腐蚀性。使用Alpsitec E460机台对电化学测试结果进行验证比较,经过条件优化,在5%（质量分数）的SiO₂磨料,1%（原子分数）的H₂O₂,pH=9条件下对Ge晶圆进行化学机械抛光得到Ge的抛光速率为299.87 nm·min^-1,通过AFM观测抛光120 s后Ge晶圆表面粗糙度RMS=1.86 nm（10μm×10μm）,线粗糙度Ra可达0.137 nm。说明了Ge的电化学测试可以有效为实际的CMP研究提供可靠的理论指导。