纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备及非线性光学性质研究
来源期刊：功能材料2008年第1期
论文作者：申继伟 吕蓬 王启明 郭亨群
关键词：nc-Si/SiNx薄膜; 射频磁控反应溅射; 光学非线性; 量子限域效应; Z扫描;
摘 要：采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜.通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见吸收光谱(UV-vis)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征.采用皮秒激光运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8esu和10-8m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性增强的原因归因于量子限域效应.
申继伟1，吕蓬1，王启明2，郭亨群1
(1.U;
2.中国科学院半导体研究所,北京,100083)
摘要:采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜.通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见吸收光谱(UV-vis)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征.采用皮秒激光运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8esu和10-8m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性增强的原因归因于量子限域效应.
关键词:nc-Si/SiNx薄膜; 射频磁控反应溅射; 光学非线性; 量子限域效应; Z扫描;
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