一维Si纳米材料的研究进展
来源期刊：材料导报2004年增刊第2期
论文作者：艾飞 周燕飞 潘志雷 刘岩
关键词：硅纳米线; 光致发光; 量子限域效应;
摘 要：基于量子限域效应,一维Si纳米材料(硅纳米线等)具有体材料硅所不具备的特异的光学、电学、机械和化学性质,在纳光电子学领域具有潜在的应用价值.通过掺杂或与其它材料的复合,硅纳米线可以用于制作纳电子器件的关键组件,既能作为功能单元也能用于器件互连.综述了硅纳米线(硅纳米管)的制备方法、生长机制、性质及应用和近年来的研究新进展.
艾飞1，周燕飞1，潘志雷1，刘岩1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050)
摘要:基于量子限域效应,一维Si纳米材料(硅纳米线等)具有体材料硅所不具备的特异的光学、电学、机械和化学性质,在纳光电子学领域具有潜在的应用价值.通过掺杂或与其它材料的复合,硅纳米线可以用于制作纳电子器件的关键组件,既能作为功能单元也能用于器件互连.综述了硅纳米线(硅纳米管)的制备方法、生长机制、性质及应用和近年来的研究新进展.
关键词:硅纳米线; 光致发光; 量子限域效应;
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