磁控溅射温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响
来源期刊：功能材料2008年第10期
论文作者：丁明惠 张宏森 张丽丽 王颖
关键词：Zr-N薄膜; 扩散阻挡层; Cu互连; 射频反应磁控溅射;
摘 要：在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了Zr-N阻挡层.用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、XRD、AES研究了沉积温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响.沉积态的XRD、AFM结果表明,随着沉积温度的升高,Zr-N薄膜的结构由非晶态向晶态转变,晶粒的尺寸增大;650℃退火后的FPP、XRD、AES的对比结果说明沉积温度的升高有利于提高Zr-N薄膜的扩散阻挡性能.
丁明惠1，张宏森2，张丽丽1，王颖3
(1.哈尔滨工程大学,材料科学与化学工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001;
2.黑龙江科技学院,工程训练与基础试验中心,黑龙江,哈尔滨,150027;
3.哈尔滨工程大学,信息与通信工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001)
摘要:在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了Zr-N阻挡层.用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、XRD、AES研究了沉积温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响.沉积态的XRD、AFM结果表明,随着沉积温度的升高,Zr-N薄膜的结构由非晶态向晶态转变,晶粒的尺寸增大;650℃退火后的FPP、XRD、AES的对比结果说明沉积温度的升高有利于提高Zr-N薄膜的扩散阻挡性能.
关键词:Zr-N薄膜; 扩散阻挡层; Cu互连; 射频反应磁控溅射;
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