偏压对Zr-Nb-N扩散阻挡层成分与结构的影响
来源期刊：稀有金属与硬质合金2012年第6期
论文作者：信绍广 宋忠孝 杨玉学
文章页码：40 - 43
关键词：Zr-Nb-N薄膜;微结构;阻挡层;磁控溅射;
摘 要：用射频反应磁控溅射法在不同偏压下沉积了Zr-Nb-N扩散阻挡层,并通过EDS、XRD、TEM和电阻测试仪等,分析了偏压对Zr-Nb-N薄膜结构与电性能的影响。结果表明Zr-Nb-N薄膜的成分、电阻率和结构均随偏压的改变而不同:Nb/Zr摩尔比随偏压的增加而增大;电阻率随偏压的增加先升高后降低。在偏压为-150V时,可制备出单一相、结构为均匀置换固溶体的纳米晶Zr-Nb-N薄膜。
信绍广1，宋忠孝2，杨玉学1
1. 新兴铸管股份有限公司2. 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室
摘 要：用射频反应磁控溅射法在不同偏压下沉积了Zr-Nb-N扩散阻挡层,并通过EDS、XRD、TEM和电阻测试仪等,分析了偏压对Zr-Nb-N薄膜结构与电性能的影响。结果表明Zr-Nb-N薄膜的成分、电阻率和结构均随偏压的改变而不同:Nb/Zr摩尔比随偏压的增加而增大;电阻率随偏压的增加先升高后降低。在偏压为-150V时,可制备出单一相、结构为均匀置换固溶体的纳米晶Zr-Nb-N薄膜。
关键词：Zr-Nb-N薄膜;微结构;阻挡层;磁控溅射;
