射频反应磁控溅射法氧化钒薄膜的制备及其性能研究
来源期刊：材料导报2013年第22期
论文作者：陈颖超 刘彭义 唐振方 叶勤
文章页码：26 - 28
关键词：VO2薄膜;射频磁控溅射;相变;
摘 要：采用射频反应磁控溅射法在普通玻璃衬底上沉积氧化钒薄膜,在高纯N2环境中,不同温度下(350℃、400℃、450℃、500℃)热处理60min,发现当热处理温度为400℃时,获得具有相变特性的VO2薄膜,其红外光透光率和电导率发生显著变化。薄膜相变温度为55℃左右,相变前后光透过率变化了13%,电阻变化了1.8个数量级。
陈颖超，刘彭义，唐振方，叶勤
暨南大学物理系
摘 要：采用射频反应磁控溅射法在普通玻璃衬底上沉积氧化钒薄膜,在高纯N2环境中,不同温度下(350℃、400℃、450℃、500℃)热处理60min,发现当热处理温度为400℃时,获得具有相变特性的VO2薄膜,其红外光透光率和电导率发生显著变化。薄膜相变温度为55℃左右,相变前后光透过率变化了13%,电阻变化了1.8个数量级。
关键词：VO2薄膜;射频磁控溅射;相变;
