PECVD法生长氮化硅薄膜及其微结构梁特性的研究

来源期刊：功能材料与器件学报2012年第1期

论文作者：于映 张彤

文章页码：46 - 50

关键词：氮化硅薄膜;微结构梁;弹性系数;杨氏模量;残余应力;

摘    要：采用化学气相沉积法(PECVD)在石英基片上制备氮化硅薄膜,应用MEMS工艺将氮化硅薄膜制作成双端固定的微结构梁,纳米压痕仪测量氮化硅薄膜的杨氏模量表明其值在136～172 Gpa之间,用曲率半径法测试薄膜的残余应力,并对微结构梁的弹性系数进行计算,结果表明弹性系数值在11.4～57 N/m.之间,根据实验所得弹性系数对微结构梁的驱动电压进行计算,其驱动电压在32.8～73V之间,微结构梁的实际驱动电压测得为34～60V。