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RF-PECVD法在钢衬底上沉积氮化硅薄膜的研究

来源期刊：功能材料2008年第3期

论文作者：汪新颜王勇金达莱杜平凡席珍强

关键词：氮化硅薄膜; 钢衬底; RF-PECVD; 沉积速率;

摘要：采用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)在钢衬底上沉积氮化硅薄膜.用台阶仪、X射线光电子能谱(XPS)、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)等手段对薄膜的厚度、成分、结构及形貌进行表征,并探讨了各工艺参数对薄膜沉积速率的影响.

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汪新颜¹，王勇¹，金达莱¹，杜平凡²，席珍强¹

(1.浙江理工大学,材料工程中心,浙江,杭州,310018;
2.浙江理工大学,先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室,浙江,杭州,310018)

摘要:采用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)在钢衬底上沉积氮化硅薄膜.用台阶仪、X射线光电子能谱(XPS)、透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)等手段对薄膜的厚度、成分、结构及形貌进行表征,并探讨了各工艺参数对薄膜沉积速率的影响.

关键词:氮化硅薄膜; 钢衬底; RF-PECVD; 沉积速率;

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