低压化学气相沉积法生长B掺杂ZnO薄膜及其性能
来源期刊：功能材料2015年第7期
论文作者：徐小科 赵俊亮 李效民 吴永庆
文章页码：7043 - 7047
关键词：BZO;透明导电氧化物;生长机理;雾度;低压化学气相沉积(LPCVD);
摘 要：低压化学气相沉积法生长的B掺杂ZnO薄膜具有良好的光散射特性,可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极。以Zn（C2H5）2和H2O为前驱体,B2H6为掺杂物,通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了B掺杂ZnO薄膜。通过XRD、FESEM、四探针测试仪等手段对样品的结构特征、微观形貌及导电性能进行表征,着重研究了（110）取向的BZO薄膜的生长机理。结果表明,厚度在500nm以下的BZO薄膜主要表现为（002）取向,随着厚度的增加,薄膜取向开始向（110）转变。所得BZO镀膜玻璃在4001 000nm范围内总透过率>80%,雾度最高可达28%（550nm）,方块电阻最低约7Ω/□,电阻率最低约1.0×10-3Ω·cm。
徐小科1,2，赵俊亮2,3，李效民1，吴永庆1
1. 中国科学院上海硅酸盐研究所3. 天津大学理学院应用物理系
摘 要：低压化学气相沉积法生长的B掺杂ZnO薄膜具有良好的光散射特性,可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极。以Zn（C2H5）2和H2O为前驱体,B2H6为掺杂物,通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了B掺杂ZnO薄膜。通过XRD、FESEM、四探针测试仪等手段对样品的结构特征、微观形貌及导电性能进行表征,着重研究了（110）取向的BZO薄膜的生长机理。结果表明,厚度在500nm以下的BZO薄膜主要表现为（002）取向,随着厚度的增加,薄膜取向开始向（110）转变。所得BZO镀膜玻璃在4001 000nm范围内总透过率>80%,雾度最高可达28%（550nm）,方块电阻最低约7Ω/□,电阻率最低约1.0×10-3Ω·cm。
关键词：BZO;透明导电氧化物;生长机理;雾度;低压化学气相沉积(LPCVD);
