PECVD工艺参数对nc-Si:H膜质量的影响
来源期刊：稀有金属1998年第4期
论文作者：彭英才 何宇亮 刘明
关键词：nc-Si:H膜; 膜层质量; 工艺参数;
摘 要：研究了PECVD生长nc-Si:H膜过程中SiH4气体稀释比、平衡反应气压、衬底温度、等离子体射频功率和直流负偏压等各种工艺参数对生成膜层质量的影响,探讨了提高膜层质量的新途径.
彭英才1，何宇亮2，刘明2
(1.河北大学电子与信息工程系;
2.北京航空航天大学)
摘要:研究了PECVD生长nc-Si:H膜过程中SiH4气体稀释比、平衡反应气压、衬底温度、等离子体射频功率和直流负偏压等各种工艺参数对生成膜层质量的影响,探讨了提高膜层质量的新途径.
关键词:nc-Si:H膜; 膜层质量; 工艺参数;
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