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工艺参数对磁控溅射磷化镓(GaP)薄膜沉积速率的影响

来源期刊：兵器材料科学与工程2002年第3期

论文作者：耿东生宋健全郭大刚刘正堂

关键词：红外窗口; 硫化锌; 磷化镓; 磁控溅射;

摘要：采用磁控溅射方法成功地在ZnS衬底上制备了磷化镓(GaP)薄膜,并系统地研究了射频功率、气体流量、工作气压、衬底温度等主要工艺参数对GaP膜沉积速率的影响规律.实验表明,随着射频功率、气体流量的增加,沉积速率逐渐增大;工作气压增大,沉积速率降低;衬底温度对沉积速率影响不太明显.

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耿东生¹，宋健全¹，郭大刚¹，刘正堂¹

(1.西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072)

摘要:采用磁控溅射方法成功地在ZnS衬底上制备了磷化镓(GaP)薄膜,并系统地研究了射频功率、气体流量、工作气压、衬底温度等主要工艺参数对GaP膜沉积速率的影响规律.实验表明,随着射频功率、气体流量的增加,沉积速率逐渐增大;工作气压增大,沉积速率降低;衬底温度对沉积速率影响不太明显.

关键词:红外窗口; 硫化锌; 磷化镓; 磁控溅射;

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