射频功率对RF-PECVD法制备纳米硅薄膜结构特征和光学特性的影响

来源期刊：功能材料2012年第23期

论文作者：娄建忠 李钗 张二鹏 马蕾 江子荣 王峰 闫小兵

文章页码：3329 - 3332

关键词：RF-PECVD;nc-Si∶H薄膜;结构特征;光学特性;

摘    要：利用射频等离子体增强型化学气相沉积（RF-PECVD）工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在石英衬底上制备了氢化纳米硅（nc-Si∶H）薄膜。其中衬底温度为250℃,H2稀释比为99%,反应压强为133Pa和射频功率为20～60W。采用α-台阶仪、X射线衍射仪（XRD）、Raman光谱仪、傅立叶变换红外光谱仪（FT-IR）和紫外-可见光分光光度计等对薄膜的结构特征和光学特性进行了测试研究。结果表明,随着射频功率的增大,nc-Si∶H薄膜的沉积速率增加,晶化率提高,晶粒尺寸增大和氢含量减小,同时薄膜的吸收系数增强,光学带隙变窄,结构有序性增强和带尾态宽度减小。