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纳米硅薄膜研究的最新进展

来源期刊:稀有金属1999年第1期

论文作者:彭英才 何宇亮

关键词:纳米硅薄膜; 制备方法; 结构特征; 输运性质; 光学特性;

摘    要:纳米硅薄膜(nc-Si:H) 是一种新型低维人工半导体材料,它具有新颖的结构特征与独特的物理性质.综合评述了这种材料在制备方法、结构特征、输运性质和发光特性等方面的最新研究进展,并指出了今后的发展方向.

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纳米硅薄膜研究的最新进展

摘要:纳米硅薄膜(nc-Si:H) 是一种新型低维人工半导体材料,它具有新颖的结构特征与独特的物理性质.综合评述了这种材料在制备方法、结构特征、输运性质和发光特性等方面的最新研究进展,并指出了今后的发展方向.

关键词:纳米硅薄膜; 制备方法; 结构特征; 输运性质; 光学特性;

Research & Development on Fabrications、Structures and Properties ofnanometer Silicon Film Materials

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