PECVD工艺参数对双层SiN_x薄膜性能的影响
来源期刊：材料科学与工程学报2012年第6期
论文作者：周艺 欧衍聪 郭长春 肖斌 何文红 胡旭尧
文章页码：827 - 830
关键词：双层SiNx减反膜;工艺参数;薄膜性能;
摘 要：采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiNx薄膜,研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响,并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现:衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响,且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。
周艺1，欧衍聪1,2，郭长春1,2，肖斌1,2，何文红1，胡旭尧1
1. 长沙理工大学化学学院
摘 要：采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiNx薄膜,研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响,并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现:衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响,且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。
关键词：双层SiNx减反膜;工艺参数;薄膜性能;
