射频功率对氟化非晶碳薄膜微观性能的影响
来源期刊：绝缘材料2004年第4期
论文作者：肖剑荣 刘雄飞 高金定 张云芳 周昕
关键词：射频功率; 氟化非晶碳薄膜; 微观性能;
摘 要：以CH4和CF4的混合气体作源气体,利用等离子体增强型化学气相沉积法(PECVD),改变射频功率,制备了一批氟化非晶碳薄膜样品.用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,发现随着射频功率增大,薄膜均匀性变差,掩蔽效应作用加剧.FITR光谱分析表明:薄膜中主要含有CFx和C=C键,较低功率下沉积的薄膜中主要含有CF2和CF3,较高功率下沉积的薄膜中主要含CF和CF2.Raman光谱分析发现在较高沉积功率下沉积的薄膜中出现了由sp2和sp3混合微晶结构.
肖剑荣1，刘雄飞1，高金定1，张云芳1，周昕1
(1.中南大学物理科学与技术学院,湖南,长沙,410083)
摘要:以CH4和CF4的混合气体作源气体,利用等离子体增强型化学气相沉积法(PECVD),改变射频功率,制备了一批氟化非晶碳薄膜样品.用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,发现随着射频功率增大,薄膜均匀性变差,掩蔽效应作用加剧.FITR光谱分析表明:薄膜中主要含有CFx和C=C键,较低功率下沉积的薄膜中主要含有CF2和CF3,较高功率下沉积的薄膜中主要含CF和CF2.Raman光谱分析发现在较高沉积功率下沉积的薄膜中出现了由sp2和sp3混合微晶结构.
关键词:射频功率; 氟化非晶碳薄膜; 微观性能;
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