熔渗温度及退火温度对W-Cu电子封装材料导热性能的影响
来源期刊：矿冶工程2004年第3期
论文作者：王志法 何平 崔大田 姜国圣
关键词：W-Cu; 熔渗温度; 退火温度; 热导率;
摘 要：研究了不同熔渗温度及退火温度对W-15Cu电子封装材料热导率的影响,结果表明:对W-15Cu而言,使用无氧铜在1400℃熔渗,热导率最高,K值可达193.5 W/(m·K);而在800℃下经退火处理,热导率可得到明显改善.
王志法1，何平1，崔大田1，姜国圣1
(1.中南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083)
摘要:研究了不同熔渗温度及退火温度对W-15Cu电子封装材料热导率的影响,结果表明:对W-15Cu而言,使用无氧铜在1400℃熔渗,热导率最高,K值可达193.5 W/(m·K);而在800℃下经退火处理,热导率可得到明显改善.
关键词:W-Cu; 熔渗温度; 退火温度; 热导率;
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