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W-15Cu电子封装材料导热性能的研究

来源期刊:粉末冶金技术2009年第6期

论文作者:王志法 何平 陈德欣 姜国圣

关键词:钨铜材料; 导热性能; 退火; 冷却速度; 残余应力; W-15Cu; TC; annealing; cooling speed; residual stresses;

摘    要:研究了熔渗温度、退火温度及退火冷却速度对W-15Cu电子封装材料导热性能的影响,试验结果表明退火能改善W-15Cu电子封装材料的导热性能,经850℃退火随炉冷的导热性能稳定在190W/(m*K)左右;W-15Cu电子封装材料界面残余应力的大小是影响材料导热性能的重要因素之一,残余应力越大,材料导热性能越差;W-15Cu电子封装材料随熔渗温度升高,导热系数增加,熔渗温度在1 400℃时的导热性能最好.

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W-15Cu电子封装材料导热性能的研究

王志法1,何平1,陈德欣1,姜国圣1

(1.中南大学材料科学与工程学院,有色金属材料科学与工程教育部重点实验室,长沙,410083)

摘要:研究了熔渗温度、退火温度及退火冷却速度对W-15Cu电子封装材料导热性能的影响,试验结果表明退火能改善W-15Cu电子封装材料的导热性能,经850℃退火随炉冷的导热性能稳定在190W/(m*K)左右;W-15Cu电子封装材料界面残余应力的大小是影响材料导热性能的重要因素之一,残余应力越大,材料导热性能越差;W-15Cu电子封装材料随熔渗温度升高,导热系数增加,熔渗温度在1 400℃时的导热性能最好.

关键词:钨铜材料; 导热性能; 退火; 冷却速度; 残余应力; W-15Cu; TC; annealing; cooling speed; residual stresses;

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