纳米二氧化硅抛光液对低k材料聚酰亚胺的影响

来源期刊：功能材料2011年第S5期

论文作者：胡轶 刘玉岭 刘效岩 王立冉 何彦刚

文章页码：852 - 854

关键词：低介电常数材料;纳米二氧化硅抛光液;介电常数;漏电流;

摘    要：以3英寸的P型〈111〉硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。对聚酰亚胺进行化学机械抛光(CMP),考察实验前后,纳米二氧化硅抛光液对低k材料的结构和介电常数。实验中应用了2种纳米二氧化硅抛光液:一种是传统的铜抛光液;另一种为新型的阻挡层抛光液。通过扫描电镜(SEM)和介电常数测试结果显示,2种抛光液对低k材料,不论是在结构还是电特性方面的影响都不大。经铜抛光液抛光后,k值从最初的3.0变到3.08;经阻挡层抛光液抛光后,k值从最初的3.0变到3.28。实践证明,这两种纳米二氧化硅抛光液可以应用于集成电路。