高脂环含量低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究

杨洋¹，张燕²，职欣心²，皇甫梦鸽²，姜岗岚²，吴琳²，刘金刚²

1. 中国商飞复合材料中心2. 中国地质大学(北京)材料科学与工程学院

摘 要：针对5G通讯技术领域对于低介电常数（low-D_k）与低介质损耗（low-D_f）高分子薄膜材料的应用需求,采用脂环族二酐单体与含有茚脂环单元的芳香族二胺单体进行聚合,制备了高脂环含量PI薄膜。对制备的PI薄膜进行结构表征,并测试其热性能、光学性能和介电性能。结果表明:该薄膜具有良好的耐热性能和光学性能,5%热失重温度(T_5%)为493℃,玻璃化转变温度（T_g）为297.4℃,紫外截止波长为258 nm,厚度为25μm的薄膜在400 nm波长处的透光率(T₄₀₀)为87.1%,黄度指数（b·*）和浊度分别为0.77和0.8%。介电性能测试结果显示,该薄膜在1 MHz频率下的介电常数（D_k）为2.71,介质损耗因数（D_f）为0.0078。

关键词：聚酰亚胺薄膜;脂环单元;低介电常数;无色透明;