低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究

贾红娟¹，尹训茜¹，査俊伟^1,2，施昌勇³，党智敏^1,2

1. 北京化工大学化工资源有效利用国家重点实验室2. 北京科技大学化学与生物工程学院高分子科学与工程系3. 北京服装学院基础部

摘 要：用单体4,4′-二胺基二苯醚（ODA）和均苯四甲酸二酐（PMDA）添加纳米SiO2,在溶剂N,N-二甲基乙酰胺（DMAC）中,采用原位聚合法合成SiO2/聚酰亚胺（PI）复合薄膜。用氢氟酸刻蚀SiO2纳米粒子,引入纳米微孔,形成含有微孔的PI薄膜。造孔剂含量为15%时,薄膜的介电常数从纯聚酰亚胺的3.54降低至3.05（1kHz）。用透射电镜表征微孔结构,分析了微孔孔径和造孔剂（SiO2）含量对薄膜介电常数、耐热性、疏水性和机械强度等性质的影响。

关键词：聚酰亚胺;介电常数;SiO2;纳米微孔;