CVD法制备SiC先进陶瓷材料研究进展
来源期刊：材料工程2002年第7期
论文作者：刘荣军 周新贵 曹英斌 张长瑞
关键词：CVD; SiC先进陶瓷; 进展;
摘 要：SiC陶瓷材料具有许多优异的性能如高比强度、高比模量、低密度、高硬度、高导热系数、低的热膨胀系数、耐腐蚀、抗氧化等,从而被广泛用作高温结构部件.CVD 工艺灵活,制备的SiC陶瓷具有很高纯度和致密度,因而是制备先进SiC陶瓷的最有希望的工艺之一.对CVD法制备SiC涂层和SiC基复合材料的研究及应用进行了综述.
刘荣军1，周新贵1，曹英斌1，张长瑞1
(1.国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073)
摘要:SiC陶瓷材料具有许多优异的性能如高比强度、高比模量、低密度、高硬度、高导热系数、低的热膨胀系数、耐腐蚀、抗氧化等,从而被广泛用作高温结构部件.CVD 工艺灵活,制备的SiC陶瓷具有很高纯度和致密度,因而是制备先进SiC陶瓷的最有希望的工艺之一.对CVD法制备SiC涂层和SiC基复合材料的研究及应用进行了综述.
关键词:CVD; SiC先进陶瓷; 进展;
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