基于非晶软磁层的巨磁电阻单元性能研究
来源期刊：功能材料与器件学报2006年第1期
论文作者：文岐业 张万里 张怀武 张祖刚 唐晓莉
关键词：自旋阀; 巨磁电阻; 非晶薄膜;
摘 要：采用剥离工艺制备了单元大小为10μm×18μm的CoNbZr/Co/Cu/Co和NiFe/Co/Cu/Co多层膜结构的3×3自旋阀单元阵列,并测试了自旋阀单元的静态和动态巨磁电阻特性.结果表明CoNbZr层对快速磁场变化具有良好的线性响应特性.与NiFe/Co/Cu/Co自旋阀单元相比,微米尺度的CoNbZr/Co/Cu/Co自旋阀单元具有更良好的自旋电子特性,可以应用到包括MRAM器件在内的自旋电子器件中.
文岐业1，张万里1，张怀武1，张祖刚1，唐晓莉1
(1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054)
摘要:采用剥离工艺制备了单元大小为10μm×18μm的CoNbZr/Co/Cu/Co和NiFe/Co/Cu/Co多层膜结构的3×3自旋阀单元阵列,并测试了自旋阀单元的静态和动态巨磁电阻特性.结果表明CoNbZr层对快速磁场变化具有良好的线性响应特性.与NiFe/Co/Cu/Co自旋阀单元相比,微米尺度的CoNbZr/Co/Cu/Co自旋阀单元具有更良好的自旋电子特性,可以应用到包括MRAM器件在内的自旋电子器件中.
关键词:自旋阀; 巨磁电阻; 非晶薄膜;
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