脉冲直流PCVD技术在盲孔底部沉积Ti-Si-N薄膜
来源期刊：稀有金属材料与工程2005年第5期
论文作者：徐可为 马胜利 马青松
关键词：脉冲直流PCVD; Ti-Si-N; 复杂型腔;
摘 要：用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术在盲孔的底部获得Ti-Si-N薄膜.用扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱仪(EDX),X射线衍射仪(XRD),球痕法(ball-crater),显微硬度计(Hv)和涂层压入仪(Pc)分析不同盲孔深度处薄膜的微观结构和力学性能.结果表明,随着盲孔深度的增加,Ti-Si-N薄膜中Ti与Si元素相对比例降低,薄膜厚度下降,薄膜与基体的结合强度有很大提高,膜基复合显微硬度下降,而薄膜的本征硬度在盲孔深度为20 mm处出现最大值.
徐可为1，马胜利1，马青松1
(1.西安交通大学,金属材料强度国家重点实验室,陕西,西安,710049)
摘要:用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术在盲孔的底部获得Ti-Si-N薄膜.用扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱仪(EDX),X射线衍射仪(XRD),球痕法(ball-crater),显微硬度计(Hv)和涂层压入仪(Pc)分析不同盲孔深度处薄膜的微观结构和力学性能.结果表明,随着盲孔深度的增加,Ti-Si-N薄膜中Ti与Si元素相对比例降低,薄膜厚度下降,薄膜与基体的结合强度有很大提高,膜基复合显微硬度下降,而薄膜的本征硬度在盲孔深度为20 mm处出现最大值.
关键词:脉冲直流PCVD; Ti-Si-N; 复杂型腔;
【全文内容正在添加中】
