硅中高剂量锗离子注入的快速热退火研究
来源期刊：材料导报2004年第7期
论文作者：黄培云 罗益民 陈振华
关键词：锗离子注人; SiGe/Si异质结; 快速热退火;
摘 要：报道了利用高剂量Ge+注入制备SiGe/Si异质结的工作.100keV、5.3×1016/cm2/cm2 Ge+注入(001)SIMOX膜中,峰值Ge+浓度接近20%.样品在不同温度下进行不同时间的快速热退火,X射线衍射分析和背散射沟道谱研究表明:1000°C退火0.5h,退火效果较好;退火时间过短或过长,退火温度过高或过低,都将影响退火效果.
黄培云1，罗益民2，陈振华3
(1.中南大学粉末冶金研究院,长沙,410083;
2.中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083;
3.湖南大学材料科学学院,长沙,410082)
摘要:报道了利用高剂量Ge+注入制备SiGe/Si异质结的工作.100keV、5.3×1016/cm2/cm2 Ge+注入(001)SIMOX膜中,峰值Ge+浓度接近20%.样品在不同温度下进行不同时间的快速热退火,X射线衍射分析和背散射沟道谱研究表明:1000°C退火0.5h,退火效果较好;退火时间过短或过长,退火温度过高或过低,都将影响退火效果.
关键词:锗离子注人; SiGe/Si异质结; 快速热退火;
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