电子束蒸发a-Si:Co薄膜的离子注入改性研究
来源期刊：功能材料2004年第5期
论文作者：陈刚 马铁英 刘焕林 杨宇
关键词：a-Si∶Co薄膜; 离子注入; 电阻温度系数;
摘 要：用电子束蒸发技术制备非晶硅薄膜,不同剂量Co离子注入后真空退火改性.X射线衍射法分析了样品的物相变化特征,发现Co离子注入可诱导非晶硅结晶,有一优化注入剂量5×1016ions/cm-2,使晶化Si(111)峰最强.还测量了非晶硅薄膜电阻率,揭示薄膜电阻温度系数随Co离子掺杂浓度和退火温度改变的规律;在退火温度500℃,离子注入量5×1015ions/cm-2条件下,获得TCR系数高达-2.5%的薄膜材料.
陈刚1，马铁英1，刘焕林1，杨宇1
(1.云南大学,材料科学与工程系,云南,昆明,650091)
摘要:用电子束蒸发技术制备非晶硅薄膜,不同剂量Co离子注入后真空退火改性.X射线衍射法分析了样品的物相变化特征,发现Co离子注入可诱导非晶硅结晶,有一优化注入剂量5×1016ions/cm-2,使晶化Si(111)峰最强.还测量了非晶硅薄膜电阻率,揭示薄膜电阻温度系数随Co离子掺杂浓度和退火温度改变的规律;在退火温度500℃,离子注入量5×1015ions/cm-2条件下,获得TCR系数高达-2.5%的薄膜材料.
关键词:a-Si∶Co薄膜; 离子注入; 电阻温度系数;
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