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Ge/Si量子点生长的研究进展

来源期刊：材料导报2010年第19期

论文作者：鲁植全王茺杨宇

文章页码：117 - 122

关键词：Ge/Si量子点生长;图形衬底;表面原子掺杂;超薄Si;O2层;Ge组分;

摘要：回顾了近年来在Ge/Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法,如图形衬底辅助生长、表面原子掺杂及利用超薄SiO2层辅助生长等,以及Ge量子点的演变及组分变化。

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鲁植全，王茺，杨宇

云南大学光电信息材料研究所

关键词：Ge/Si量子点生长;图形衬底;表面原子掺杂;超薄Si;O2层;Ge组分;